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山下 浩史 | (株)東芝 ULSI研究所
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(株)東芝 ULSI研究所の論文著者
(株)東芝 ULSI研究所 | 論文
高速アナログ/ディジタル回路用高精度疑似飽和BJTモデル
ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
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