George Jean-Marie | <label>⁵</label>Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, University Paris Sud, University Paris-Saclay, 91767 Palaiseau, France

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論文 | ランダム

• (110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
• 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
• 1.5nm酸化膜MOSFET
• 1.5nm酸化膜 MOSFET
• 0.1μm以下MOSFETの高性能化検討(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)

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