富岡 由喜 | (株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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概要
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所 | 論文
- ULSI配線の高信頼化技術
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 硬X線光電子分光法を用いた半導体デバイスの分析
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性