小玉 雄一朗 | 東京農工大学大学院・工学系
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概要
東京農工大学大学院・工学系 | 論文
- 01aA12 GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aC08 GaN(0001)/(000-1)面の表面再構成面の解析(結晶成長基礎(2),第36回結晶成長国内会議)
- 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- In系窒化物半導体のMOVPEおよびHVPE成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- 01aA11 HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)