植松 真司 | NTT LSI 研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NTT LSI 研究所の論文著者

NTT LSI 研究所 | 論文

• MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
• MOCVD,MBE,CBE成長GaAsの表面平坦性のAFMによる評価
• GaAs,AlGaAs成長時の表面,界面のナノオーダ凹凸の制御
• 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
• 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)

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