ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム (集積回路)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-04-18
著者
関連論文
- NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)の結晶性とメモリ特性
- BaTiO_3自立薄膜におけるクラック密度の低減と配向性の成長基板温度依存性
- ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム (集積回路)
- 銅酸化物高温超伝導体単結晶を用いた抵抗変化メモリのスイッチングメカニズム (第30回表面科学学術講演会特集号(2))
- ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御(シリコン関連材料の作製と評価)
- 銅酸化物高温超伝導体単結晶を用いた抵抗変化メモリのスイッチングメカニズム