ニクラス・ルーマンの権力分立論--グローバル・コンテクストにおける応用可能性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

論文 | ランダム

• 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
• 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

もっと見る

スポンサーリンク