Si(111)基板上のCeO2膜エピタキシャル成長
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 放電プラズマ焼結法によるシリコン研削スラッジの高純度化
- 118 FIB-CVD法で作製したDLCマイクロ構造体とSi基板間の界面微細構造(材料の超精密加工とマイクロ/ナノ加工の動向)
- FIB-CVD法を用いて作製したDLC膜の微細構造解析
- FIB-CVD法によるDLC成形プロセスとその特性評価(マイクロマテリアル)
- 3次元結晶格子モデルを用いた結晶粒界の抽出
- 結晶構造の分析に適用可能な三次元ウェーブレットの構築(ディジタル信号処理)
- 1451 C/C複合材料の繊維-母相界面の微細組織観察(S07-3 セラミックスおよびセラミックス系複合材料III,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- FIB-CVD法におけるDLCの堆積特性と加工特性
- FIB-CVD法による微細三次元構造の作製 (特集 材料開発の新概念--ポリスケールテクノロジー)
- 513 C/C複合材料の母相の微細組織に及ぼす熱処理の影響(セラミック/セラミック基複合材料3)
- 放電プラズマ接合法による発泡アルミとアルミニウム板の直接接合
- 430 C/C複合材料の繊維-母相界面強度に及ぼす熱処理の影響(セラミック/セラミック基複合材料)
- 441 FIB-CVD法によるDLC微小構造体の作製条件と機械的特性の関係(複合機能化材料・デバイスとその加工プロセス)
- 145 放電プラズマ接合法による発泡アルミニウムとアルミニウム板の直接接合(溶接・接合のプロセスと評価)
- Si(111)基板上のCeO2膜エピタキシャル成長
- SPS法によるDLC焼結体の創製