カルコパイライト形半導体の単結晶成長の為の生成過程解析
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Ho-Ba-Cu-O系バルク超伝導材料の臨界電流密度と捕捉磁場特性
- パルス着磁過程における高温超伝導バルク体中の磁束挙動と発熱の評価
- 27p-ZE-19 セレン化水平ブリッジマン法によるCuInSe_2単結晶の欠陥物性[II]
- ゾルゲル合成CaMgSi_2O_6ゲルの結晶化に対する塩酸触媒の影響
- ND_Ba_Cu_3O_系超電導体の固溶領域に関する研究
- Nd1+xBa2-xCu3Oy固溶超電導体の超電導特性
- 1p-F-2 CdIn_2S_4の熱刺激電流III
- 開発工学部における「情報処理実習」に対する授業評価の要因分析
- 強磁性La_Sr_MnO_3セラミックのトンネル型磁気抵抗効果
- Nd-Ba-Cu-O系の低酸素分圧下での溶融過程
- 13a-PS-28 BGOの旋光性の斜入射反射法による測定
- 2a-N-6 CdIn_2S_4の熱茂樹電流
- II族元素を添加したデラフォサイト型CuLaO_2の作製と発光特性
- 静磁場下のパルス磁場における着磁特性
- IIa-III_2-VI_4系化合物の単結晶成長
- 溶融法によるLa123超電導体の作製と評価
- カルコパイライト形半導体の単結晶成長の為の生成過程解析
- 6p-C-7 電子線照射したCdIn_2S_4のESRスペクトル
- 1p-K-4 GaPの直接端励起子の微分反射スペクトル
- 2p-K-20 TeO_2の光活性の円偏光反射スペクトルに及ぼす影響
- 1a-BG-12 TeO_2の光吸収および光反射スペクトル
- 示差熱分析による蛍光体材料IIaIII_2VI_4化合物の状態図作成と結晶成長
- 31p-B2-12 TeO_2のVUV反射スペクトル(イオン結晶・光物性(SOR VUV))
- 1p-PS-126 YBa_2Cu_3O_7焼結体の誘導法による臨界電流密度測定(低温(酸化物超伝導体))