宇宙におけるSi-As-Teアモルファス半導体の創製 (FMPT:First Material Processing Test<特集>) -- (FMPT実験結果の概要)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本航空宇宙学会の論文

著者

• 岡本 博明

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 岡本 博明

  阪大基礎工

関連論文

• 液相合成n-ZnOナノ結晶/p-ペンタセンヘテロ接合型紫外発光EL素子(発光型/非発光型ディスプレイ)
• 液相合成ZnS:Cuナノ結晶を用いたEL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 宇宙におけるSi-As-Teアモルファス半導体の創製 (FMPT:First Material Processing Test) -- (FMPT実験結果の概要)
• アモルファスシリコン//多結晶シリコンタンデム太陽電池
• a-Si量子井戸中のサブバンド間光学遷移の観測
• 6a-LT-17 グロー放電法a-Siの基礎特性 II
• 3p-BJ-13 グロー放電法 a-Si の基礎特性
• アモルファスSiヘテロフェイス太陽電池
• 液相合成n-ZnOナノ結晶/p-ペンタセンヘテロ接合型紫外発光EL素子(発光型/非発光型ディスプレイ)
• ナノ構造ZnS:Mn薄膜EL素子の動作特性 : 発光層構造の影響(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
• 6a-LT-16 GD-a-Siのcharacterization I
• 4p-B-9 GD a-Si の光誘起変化
• 液相合成ZnS:Cuナノ結晶を用いたEL素子の作製
• ナノ構造ZnS:Mn薄膜EL素子の動作特性 : 発光層構造の影響
• ナノ構造ZnS:Mn薄膜EL素子の動作特性
• ナノ構造ZnS:Mn薄膜EL素子の動作特性
• ナノ構造ZnS:Mn薄膜EL素子の動作特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 水素化アモルファスシリコンの光劣化と光誘起構造変化(半導体エレクトロニクス)
• 非晶質
• 液相合成n-ZnOナノ結晶/p-ペンタセンヘテロ接合型紫外発光EL素子
• 薄膜シリコン系太陽電池
• ポーラスシリコンのエレクトロレフレクタンス分光評価
• ナノクリスタル半導体の電子構造の解析および発光デバイスの設計と試作
• アモルファス半導体の電子物性
• 特集「住宅用太陽電池」前書き
• アモルファスシリコンにおける光誘起特性変化--欠陥生成と構造変化
• アモルファスシリコンにおける光誘起特性変化 - 欠陥生成と構造変化 -
• アモルファス半導体の光吸収スペクトル--現象論的スケ-リング・モデル
• 無重力下で製造されたSi-As-Teカルコゲナイド系アモルファス半導体の高圧効果
• 薄膜シリコン系太陽電池 (太陽電池技術の進展)
• トップエミッション型液相合成ZnOナノ結晶紫外発光EL素子の電流電圧特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• トップエミッション型液相合成ZnOナノ結晶紫外発光EL素子の電流電圧特性
• 液相合成n-ZnOナノ結晶/p-ペンタセンヘテロ接合型紫外発光EL素子
• トップエミッション型液相合成ZnOナノ結晶紫外発光EL素子の電流電圧特性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
• 変調接合光電流分光法

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク