カルコゲナイド・ガラスの光構造変化と関連物性 (アモルファス物質<特集>)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• アグネ技術センタ-の論文

著者

• 田中 一宜

  電総研

• 浜中 広見

  法大工

関連論文

• 14pTJ-3 NaTl 型 Li 化合物の格子欠陥構造と異常抵抗(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 12a-DF-14 アモルファスシリコンのパルスESR : スピン緩和から見たダングリングボンドと水素の距離
• 新たなブレークスルーには何が必要か
• 第14回アモルファス半導体国際会議報告
• a-Si:H の欠陥と電子格子相互作用
• J. I. Pankove 編: Semiconductors and Semimetals, Vol. 21; Hydrogenated Amorphous Silicon, pt. B; Optical Properties, Academic Press, Orlando and London, 1984, xiv+434ページ, 23.5×15.5cm, 24,000円.
• 2p-W-11 アモルファスIV-VI族半導体の構造
• 第7回非晶質および液体半導体国際会議
• 7p-M-3 非晶質半導体の光による構造変化
• 非晶質半導体に関する二つの国際会議
• カルコゲナイドガラスにおける Photostructural Change
• 半導体薄膜(非晶質シリコン) (非晶質材料の作製技術(技術ノ-ト))
• 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
• 28p-I-11 PSPCシステムによる高分解能PIXE
• 31a-P-6 β-LiAlの格子欠陥構造とLi拡散機構
• 28a-H-14 β-LiAlの電機抵抗率に対する格子欠陥の影響(III)
• 2a-W-20 GD-a-Si:HとSP-a-Si:Hのプラズマ解析
• 30aYA-6 LiGaにおけるリチウムイオン拡散II
• 22pRA-5 LiGaにおけるリチウムイオン拡散
• LiAlの電気的性質の中性子照射効果の研究(2) (一般共同研究・一般協力研究) -- (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
• 6a-S-1 β-LiGaの格子欠陥と比熱異常
• 中性子を照射したβ-LiAl中のLi原子空孔の規則-不規則変態
• 31a-M-6 β-LiGaの格子欠陥のLi濃度依存性
• 30a-ZN-1 β-LiAlの電気低効率に対する格子欠陥の影響(II)
• 3a-Z-8 LiAlの電気抵抗率に対する格子欠陥の影響
• 28p-K-11 中性子照射LiAlのトリチウムの放出挙動
• 4a-A-2 Pドープa-S:Hの光誘起吸収と光誘起吸収検出ESR
• 1a-RM-6 アモルファス・シリコン中の量子二準位
• 31a-F-5 光吸収端
• 13a-E-18 カルコゲナイドガラスの光構造変化と圧力効果
• 30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス
• 30a-W-2 As_2Se_3/As_2S_8非晶質多層膜の光学吸収特性
• アモルファス・シリコンにおけるギャップ状態密度スペクトル (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス半導体)
• カルコゲナイド・ガラスの光構造変化と関連物性 (アモルファス物質)
• イオン交換によるグレーデッド形光導波路屈折率分布の測定
• イオン交換によるガラス光導波路の作製及び作製技術についての研究
• エネルギ-変換材料--水素化アモルファスシリコンの物性 (無機アモルファス材料) -- (新しい性質と応用)
• アモルファス半導体--新領域への挑戦 (無機アモルファス)
• 20aTG-5 β-LiInの電気抵抗率の熱処理効果
• 4p-NL-2 rhombohedral Asの価電子構造
• Reversible Laser-Induced Phase Transformation of Amorphous Selenium

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク