2D04 CVD 法による Si 基板上へのケイ酸ビスマス薄膜の作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本セラミックス協会の論文
- 1992-05-20
著者
-
神谷 利夫
東工大工
-
鶴見 敬章
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
大門 正機
東工大工
-
鶴見 敬章
東工大工
-
金 宗熙
東工大工
-
平野 秀行
東工大工
-
神谷 利夫
ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所
関連論文
- 20aWB-1 紫外光領域における透明酸化物半導体 La CuOS-Se の光学非線形性
- リラクサーの基礎と応用
- プラセオジム及びコバルト添加酸化亜鉛バリスターのオージェ電子スペクトル
- マッハツェンダー型干渉計により測定したPZTセラミックスの電界誘起歪における非180度ドメインの寄与
- 圧電横効果を利用した降圧用トランス
- 水熱条件下でのチタン酸ジルコン酸鉛の析出
- 水酸化カルシウムおよびケイ酸カルシウム水和物の炭酸化反応
- 3E18 セメントースラグーシリカヒューム混合系のレオロジー特性
- 3A02 PZT の圧電性におけるマンガンの働き
- 2D19 水熱法で合成した PZT 薄膜を用いた屈曲型アクチュエータの作製
- 2D04 CVD 法による Si 基板上へのケイ酸ビスマス薄膜の作製
- エトリンガイドの炭酸化反応
- 2F22 アルミン酸バリウム系化学結合セラミックスの作製
- 2C16 水熱法による PZT 薄膜の作製
- 水熱合成粉末を用いた配向性PZT焼結体の作製
- PLZT焼結体の透光性に与える共沈ゲルの乾燥条件の影響 : 合成・キャラクタリーゼーション
- PZT結晶粉末の水熱合成と焼結体の圧電的性質
- Mg^を添加したNH_4^+-β-ガレートのイオン導電率(導電性セラミックス)
- 水熱法による半導性PZT固溶体の合成と焼結体の電気機械的性質(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
- Li_2B_4O_7の熱ルミネセンスの発光機構
- β"-アルミナ型NH^+_4-ガレートのイオン導電率
- チタン酸ストロンチウム-チタン酸ジルコニウム固溶体の超広帯域誘電スペクトロスコピー
- ドメイン制御による非鉛系圧電体結晶の性能向上
- 改良低温直接合成法を用いたナノメーターオーダーチタン酸バリウム単結晶粒子の合成とそのキャラクタリゼーション
- ペロブスカイト強誘電体物性のシミュレーション
- 高温圧電センサ用単結晶材料の探索
- マグネシウムを固溶したK^+-β-アルミナ型ガレートの電気伝導度
- 英国ケンブリッジ滞在記
- 3G11 製法の異なる Si_3N_4 粉体の XPS による表面分析
- Effect of Drying Condition of Precipitated Gel on the Transparency of PLZT Ceramics