Simulation of Ridge-Type Semiconductor Lasers with Selectively Proton-Implanted Cladding Layers
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概要
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A ridge-type semiconductor laser with selectively proton-implanted cladding layers is proposed, and lasing characteristics are simulated. In this laser, horizontal transverse modes are confined by the ridge structure; carrier distributions are controlled by selectively proton-implanted cladding layers. It is found that the kink level is higher and the threshold current is lower than those of ridge-type semiconductor lasers with optical antiguiding layers for horizontal transverse modes. In addition, the dependences of kink level and threshold current on the space between the proton-implanted regions $(S)$ are analyzed, and $S$ is optimized. Horizontal and vertical near field patterns are almost independent of $S$; this result indicates that the light and carriers are confined separately.
- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2010-01-25
著者
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Numai Takahiro
Graduate School Of Science And Engineering Ritsumeikan University
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Numai Takahiro
Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan
-
Yoshida Hazuki
Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan
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