Ridge-Type Semiconductor Lasers with Antiguiding Layers for Horizontal Transverse Modes: Dependence on Space in the Antiguiding Layers
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概要
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The dependence of lasing characteristics of ridge-type semiconductor lasers with antiguiding layers for horizontal transverse modes on the space in the antiguiding layers $S$ is theoretically investigated. It is found that the kink level and wall-plug efficiency have peaks at $S = 1.98$ μm. In $S >1.98\,\micron$, injected carriers are confined to the space region but spatial hole burning appears. In $S<1.98$ μm, injected carriers overflowed to the steps but spatial hole burning is negligible because $S$ is shorter than the carrier diffusion length of 2 μm. With a decrease in $S$, the threshold current decreases, because injected carriers concentrate into the active region below the mesa.
- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2009-08-25
著者
-
Numai Takahiro
Graduate School Of Science And Engineering Ritsumeikan University
-
Yoshida Hazuki
Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan
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