Self-Aligned Organic Field-Effect Transistors Using Back-Surface Exposure Method
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概要
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Self-aligned organic field-effect transistors using the back-surface exposure method were investigated. Using the back-surface exposure method, source and drain electrodes were self-aligned to the gate electrode. The overlapping length of the gate-source and the gate-drain electrodes was as small as 0.8 μm. Excellent field-effect operation was obtained with small parasitic resistance, where the maximum field-effect mobility was 0.12 cm2/Vs. The on-off ratio was $10^{4}$, threshold voltage was $-1.0$ V, mutual conductance was 1.8 mS and subthreshold slope was 0.5 V/decade. Combined with capacitance measurement, the estimated cutoff frequency was 0.18 MHz.
- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2004-04-15
著者
-
NAKA Shigeki
Faculty of Engineering at Toyama University
-
Onnagawa Hiroyoshi
Faculty Of Engineering Toyama University
-
Okada Hiroyuki
Faculty Of Engineering Toyama University
-
Hyodo Takahiro
Faculty of Engineering, Toyama University, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, Japan
-
Morita Fumiya
Faculty of Engineering, Toyama University, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, Japan
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