IEDM 32nm世代の論理LSIやセル積層フラッシュに注目
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概要
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論理LSIやメモリなど機器を支える先端半導体の進化はまだまだ止まらない。2007年12月に米国ワシントンD.C.で開催された半導体製造技術の国際会議「2007 International Electron Devices Meeting（IEDM）」では，論理LSIの微細化技術や消費電力削減技術，メモリの高密度化技術が注目を集めた。
- 2008-01-28
論文 | ランダム
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