半導体検出器による電子線の深部線量測定琉球大学医学部放射線医学教室
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概要
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Characteristics of a silicon semiconductor detector in high en e rgy electron fields were studied. The output of detector in dose rate shows linearity up to 400R/min. The decrease in relative sensitivity induced by radiation damage is about 5% with the irradiation of 200 Gy. The detector shows the maximum sensitivity at the direction of 60° and the minimum at 90°.<BR>The depth dose curves from the semiconductor detector agree with those from a shallow ionization chamber except for the build-up regions. Several paramerters, which chracterize the quality of the electron beam showed good agereement between semiconductor detector and shallow ionization chamber.
- Japan Society of Medical Physicsの論文
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