SiとAuGeSb/Cr/NiCr/Ni層の接触抵抗

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概要

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• The contact resistance between silicon and evaporated AuGeSb/Cr/NiCr/Ni films was measured, along with the mechanical strength of thess contacts and the effect on contact resistance and mechanical strength of the presence of an AuGeSb layer between the silicon and the Cr/NiCr/Ni layer.These films were applied to the collector electrodes of power transistors and good reliability was obtained.

• 社団法人 表面技術協会の論文

著者

• 横沢 眞覩

  松下電子工業株式会社半導体社

• 山崎 晃

  松下電子工業 (株)

• 名倉 英明

  松下電子工業 (株)

• 上浦 宏明

  松下電子工業 (株)

• 横沢 眞覩

  松下電子工業 (株)

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