単一円柱のはく離域における流動パターン
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概要
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単一円柱のはく離域における流動状態が研究された.特に円柱の壁面近傍の流れに着目するため拡散電流分布が電極反応法によって測定され, さらに壁面近傍の可視化が水素気泡法によって行われた.はく離域の流動状態は二つの領域に大別され, 一つは逆流層域, 他は非定常な後流域である.そしてこれらの領域は.<I>Re</I>数 (<I>Re</I>=1,000〜5,000) によって変化することが見いだされた.<BR>また, これらの結果を基にして広汎な<I>Re</I>数にわたるはく離域の流動状態が既往の研究結果も含め検討された。低Re数域では逆流層域が支配的であり, <I>Re</I>数の増加につれて非定常な後流域が現れ, 臨界<I>Re</I>数付近ではその領域がはく離域全体に拡がることが示された.
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