完全発達領域における円柱群内の流動状態
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概要
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完全発達領域における円柱群内の流動状態が研究された.円柱表面近傍の流れに着目するため, 電極反応法による拡散電流分布の測定および水素気泡法による流れの可視化が行われた.<BR>錯列配列では前列円柱間流路狭部で形成された噴流, そして正方配列では前列円柱で形成されたはく離せん断流が, それぞれの着目列の円柱に到達して, 円柱表面近傍の流動状態に影響を与える.またピッチ比の減少によって, いずれの配列においても着目列円柱間流路狭部で形成された加速流が同様に表面近傍の流動状態に影響を与える.円柱群内の巨視的流れは, 正方配列の場合ピッチ比の減少によって著しく変化するが, 錯列配列の場合ほとんど変化しない.
- 社団法人 化学工学会の論文
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