SiN<SUB>x</SUB>膜生産用インライン式プラズマCVD装置
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
容量結合方式による高周波放電を用いて長方形の反応ゾーンをもつインライン式プラズマCVD装置を試作した.窒化シリコン膜の作表実験による評価の結果, 基板温度300℃で230Å/minの付着速度で5000ÅのsiN<SUB>x</SUB>膜を76mmφのシリコンウェハ上に1枚/分の割合で生産できることが確認された.
- 日本真空協会の論文
著者
-
松沢 昭生
日本真空技術 (株) 超材料研究所
-
伊藤 隆生
日本真空技術株式会社
-
石川 裕一
日本真空技術株式会社
-
柳田 博司
日本真空技術株式会社
-
柳田 博司
日本真空技術 (株)
-
柳田 博司
日本真空技術株式会社超材料研究所
関連論文
- アブストラクト
- 偏光解析法による薄膜の自動インライン評価
- 酸素プラズマによるGaAs, Siの陽極酸化
- アブストラクト
- 鋼板の連続アルミナイジング
- 60kW電子ピーム炉によるタンタルの溶解試験
- 高温真空炉における熱絶縁について
- SiNx膜生産用インライン式プラズマCVD装置
- 真空中におけるダスト粒子の観察 (II)