四塩化炭素および四塩化炭素・ヘリウムによるアルミニウム膜の反応性イオンエッチング加工特性
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概要
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Dry etching characteristics of aluminum films in the parallel reactor have been reported using plasmas of CCl<SUB>4</SUB> and CCl<SUB>4</SUB>/He. We have constructed the three dimensional maps on aluminum etching selectivity to photoresist. These results have revealed that the etching profiles vary depending on many experimental parameters and the characteristics maps obtained by the two plasma, CCl<SUB>4</SUB> and CCl<SUB>4</SUB>/He, are very different.
- 日本真空協会の論文
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