熱刺激電流測定法によるBi2O3薄膜のトラップの評価
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概要
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For the research on trap of the Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> thin films, the thermally stimulated current (TSC) has been measured at the temperature region from 100 to 380 K. The TSC curve shaped two peaks (A and B) which were separated by the method of thermal creaning to several peaks.<BR>The trap levels of these peaks were calculated by three appreciations such as the initial rise method, the graphical analysis and Chen method as follows : A peak, 0.033-0.043 eV and B peak, 0.15-0.42 eV respectively. Judging from the electric behaviors of the TSC, it was concluded that A peak is related to the host Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> thin films and B peak to the space charge in the thin films near the interface of films and electrode.
- 日本真空協会の論文
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