常圧熱CVD法によるダイヤモンド薄膜の合成とその評価
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概要
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Diamond thin films have been formed by atmospheric-pressure thermal chemical vapor deposition (atmosphric-pressure CVD) using organic compounds such as CH<SUB>3</SUB>OH, CH<SUB>3</SUB>COCH<SUB>3</SUB> and CH<SUB>3</SUB>CHO. These organic compounds contain the combination of C, H and O. The films are grown on the silicon substrates with high growth rate (8-10 μm/hr) at atmospheric pressure. This growth rate is 10 times faster than the CVD method using hydrocabons such as CH<SUB>4</SUB> and C<SUB>2</SUB>H<SUB>2</SUB>. The films have good crystallinity and high quarity without graphitic and amorphous carbon in the sense of electron diffraction and Raman spectrum. It is considered that methyl radical (CH<SUB>3</SUB>) and atomic hydrogen (H) play important roles in the synthesis of the diamond.
著者
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広瀬 洋一
日本工業大学
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広瀬 洋一
日本工業大学電気工学科
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手塚 和男
日本工業大学電気工学科
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高橋 勝巳
日本工業大学電気工学科
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寺沢 雄貴
日本工業大学電気工学科
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岩崎 一也
日本工業大学電気工学科
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