Electron Cyclotron Resonance Plasma を用いたシリコン深掘り技術
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概要
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Hitachi High-Technologies released a new dry plasma etcher designated as the Hitachi M-6180 and targeted for deep silicon trench etch. The new Hitachi M-6180 deep trench etcher provides for excellent uniformity, superior trench profiles, and high selectivity. The Hitachi M-6180 is based on an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma source able to generate a high density (1×1011 cm-3) plasma at 0.01 Pa. The low temperature and low pressure reactions of the Hitachi M-6180 achieve superior trench profiles with no sidewall residue. The clean nature of the Hitachi M-6180 ECR etch chamber allows for Mean Time Between Wet Cleaning (MTBW) that is extremely long and particle levels that are very low.
著者
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遠田 豊
株式会社日立ハイテクノロジーズプロセス製造装置三部
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古瀬 宗雄
株式会社日立ハイテクノロジーズエッチング装置第二設計部
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高田 和男
株式会社日立ハイテクノロジーズエッチング装置第二設計部
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堤 貴志
株式会社日立ハイテクノロジーズプロセス製造装置三部
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