LaAlO_3/SrTiO_3界面へのスピン注入(映像・情報ストレージ応用技術,一般)
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概要
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LaAlO_3/SrTiO_3界面に形成される金属層は高移動度を持ち、その構成物質が持ちえない多様な特性を示すことから、新たなナノデバイス基盤として注目されている。また、2次元電子系におけるスピン軌道相互作用の大きさを外部電場により変調できることから、その界面を用いたスピンデバイスへの応用にも期待されている。本研究ではスピンデバイスへの応用に向けての先駆けとして、LaAlO_3/SrTiO_3界面中へのスピン注入を目指し、動力学的手法であるスピンポンピングを用いたスピン流生成、および検出に成功した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-01-17
著者
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新庄 輝也
大阪大学大学院基礎工学研究科
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安藤 裕一郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
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白石 誠司
京都大学大学院工学研究科
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須崎 友文
東京工業大学応用セラミックス研究所セキュアマテリアル研究センター
-
大島 諒
大阪大学大学院基礎工学研究科
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松崎 功佑
東京工業大学応用セラミックス研究所セキュアマテリアル研究センター
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