側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
大容量かつ高密度な集積光トランシーバ素子の実現に向けて,シリコン変調器の高速化・高効率化が必要とされる.我々はこれまでにPPSダイオード型位相変調器の順方向バイアス電圧動作により,マッハツェンダ型変調器の高速・高効率動作を報告してきた.今回,変調器の高効率化のため,このような位相変調器を用いたリング共振器型変調器を検討した,本報告では,まず,このような変調器における高効率化に向けた設計のポイントについて説明する.その後,位相変調器を側面格子導波路構造とし,PINダイオードを有するリング共振器型シリコン変調器を試作した結果についてまとめる.本素子を用いて2Vppの低電圧振幅による50Gb/sの高速動作を実現し,我々の方式がシリコン変調器の高速・高効率動作に向けて有効であることを示す.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-22
著者
-
馬場 威
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所
-
秋山 傑
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)
-
馬場 威
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)
-
堀川 剛
独立行政法人産業技術総合研究所
-
今井 雅彦
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)
-
臼杵 達哉
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
平山 直紀
独立行政法人産業技術総合研究所(AIST)
-
高橋 博之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)
-
埜口 良二
独立行政法人産業技術総合研究所(AIST)
-
今井 雅彦
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
秋山 傑
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
埜口 良二
独立行政法人産業技術総合研究所
-
平山 直紀
独立行政法人産業技術総合研究所
-
高橋 博之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
馬場 威
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
関連論文
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器 (光エレクトロニクス)
- C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-40 側面格子型Si光変調器の等価回路解析(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-57 SOI導波路プロセス(VI) : 液浸ArF露光を用いた導波路パターン形成(II)(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-1 50Gbps動作pin型シリコン変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-5-5 シリコン光変調器の開発(CI-5.光変調デバイスと材料技術の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-18 全ての光コンポーネントを単一シリコン基板上に集積したシリコン光インターポーザの30Tbps/cm2動作実証(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)