C-4-1 50Gbps動作pin型シリコン変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-08-28

著者

• 馬場 威

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所

• 秋山 傑

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 馬場 威

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 臼杵 達哉

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 臼杵 達哉

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA):フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 今井 雅彦

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 赤川 武志

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 馬場 威

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA):フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 秋山 傑

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA):フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 赤川 武志

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA):フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 臼杵 達哉

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 今井 雅彦

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 秋山 傑

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 馬場 威

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

関連論文

• カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器 (光エレクトロニクス)
• C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-40 側面格子型Si光変調器の等価回路解析(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-1 50Gbps動作pin型シリコン変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CI-5-5 シリコン光変調器の開発(CI-5.光変調デバイスと材料技術の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• C-3-18 全ての光コンポーネントを単一シリコン基板上に集積したシリコン光インターポーザの30Tbps/cm2動作実証(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-15-4 シリコンフォトニクス向け電磁波解析法の検討(C-15.マイクロ波フォートニクス)
• C-3-15 シリコンフォトニクスに向けた高精度周波数領域解析(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク