側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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大容量かつ高密度な集積光トランシーバ素子の実現に向けて,シリコン変調器の高速化・高効率化が必要とされる.我々はこれまでにPINダイオード型位相変調器の順方向バイアス電圧動作により,マッハツェンダ型変調器の高速・高効率動作を報告してきた.今回,変調器の高効率化のため,このような位相変調器を用いたリング共振器型変調器を検討した.本報告では,まず,このような変調器における高効率化に向けた設計のポイントについて説明する.その後,位相変調器を側面格子導波路構造とし, PINダイオードを有するリング共振器型シリコン変調器を試作した結果についてまとめる.本素子を用いて2V_<pp>の低電圧振幅による50Gb/sの高速動作を実現し,我々の方式がシリコン変調器の高速・高効率動作に向けて有効であることを示す.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-22
著者
-
馬場 威
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所
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堀川 剛
独立行政法人産業技術総合研究所
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臼杵 達哉
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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今井 雅彦
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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秋山 傑
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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埜口 良二
独立行政法人産業技術総合研究所
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平山 直紀
独立行政法人産業技術総合研究所
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高橋 博之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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馬場 威
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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