31p-FB-6 Pb_<1-x>Sn_xTe-Pbフィルムの超伝導(31p FB 半導体(磁性半導体,ナローギャップ))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1986-03-29

著者

• 奥村 敏之

  阪大・理

• 鷹岡 貞夫

  阪大・理

• 邑瀬 和生

  阪大・理

• 邑瀬 和生

  阪大

• 杉田 辰也

  阪大・理

関連論文

• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 30pZD-8 融液急冷 Ge-Se ガラスの構造および構造変化
• 22pYP-12 ネットワークガラスの構造緩和および硬さの相転移
• 28pTC-9 Ge_xSe_(X=0.30〜0.37)ガラスのナノ相分離
• 28pTC-8 アモルファスGe_xSe_薄膜の熱アニール効果と光励起緩和過程
• 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
• 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 28pTC-7 硬さの相転移におけるネットワークガラスのダイナミクス
• 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
• 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
• 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
• 22pYP-11 Ge_xSe_ガラスの光学的振動モードラマンスペクトルの温度依存性
• 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
• 27a-ZB-2 PtSi薄膜の超伝導転移とその膜厚依存性
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 27a-F-7 Porous-Siのフォトルミネッセンスとラマンスペクトル
• 3a-F-12 PbTe-SnTe超格子の超伝導のアニール効果
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 29p-ZK-6 Si-MOS FETにおける非局所的伝導
• 4p-NL-16 Pb_(Sn,Ge)_xTeの圧力下の構造相転移と電気抵抗異常
• 29p-B-8 ガス中蒸着法によるGeSe_2微粒子のラマン散乱
• 4a-D-11 GeSe_2微結晶の共鳴ラマンスペクトルと振動モード
• 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴II. : 非同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
• 4a-NL-18 (Ge-Sn)-カルコゲナイド半導体のガラス形成と振動スペクトル
• 4a-A2-15 遠赤外磁気プラズマ反射によるPb_Sn_xTe:Inのバンド端構造
• 28a-A-5 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子におけるサイクロトロン共鳴の周期依存性
• 1a-E-3 PtSi薄膜及び細線の電気伝導
• 2p-L-6 Pt-Si薄膜のアンダーソン局在
• 29a-A-2 半導体及び金属極微細線の電気伝導
• 1a-M-13 GaAs/AlGaAsにおける静電容量と量子ホール効果
• 1a-M-12 ゲートで制御した2次元電子系の量子伝導
• 27p-P-2 2次元電子系でのとじ込めポテンシャルと非局所抵抗
• 27p-P-1 GaAs/AlGaAs細線での量子伝導とエッジ電流
• 29p-ZK-12 GaAs/AlGaAsマクロ細線での非局所的量子伝導におけるエッジ電流と端子抵抗
• 2a-K-10 アモルファスGeSe_2にフォトドープした銅の電子状態
• 5p-B-18 Pb(Sn,Ge)Teの遠赤外磁気反射
• 4p-NL-15 Pb_Sn_xTeの不純物における電子-格子強結合
• IV-VI族半導体の相転移(サブゼミ-誘電体,第24回物性若手「夏の学校」開催後記)
• 30p-A-7 アモルファスGeSe_2のレーザー誘起結晶化
• 4a-D-10 結晶およびアモルファスGeSe_2のラマン散乱スペクトルとそのモデル計算
• 4a-A-2 結晶GeSe_2ラマンスペクトルの温度依存性
• 2p-F-10 アモルファスGeSe_2のVUV反射スペクトル
• 3a-A2-1 アモルファスGeSe2の光誘起結晶
• 29p-D-8 メゾスコピック半導体二次元電子系の非局所伝導
• 5a-A2-12 ZnSe-ZnS歪超格子の歪とフォトルミネッセンス
• 4a-A-1 ゲルマニウムダイカルコゲナイドの構造、振動モード、とラマン散乱
• 5a-Y-4 Bi系酸化物超伝導体の超伝導転移温度の不純物効果
• Far-Infrared Magneto-Optical Absorption of Vertically Aligned Double Dot Array System
• 低温センターに期待する
• 28p-LD-11 ZnTe-ZnS超格子の安定性(半導体)
• 2p-D4-5 半導体リングにおけるAB効果(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 27p-LE-4 アモルファスGeSe_2のレーザー誘起結晶成長速度(半導体)
• 1p-L4-9 Bi.Sbの網線加工及びその電気抵抗(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 3a-L2-4 Si-MOSFETのSdH振動とホール効果(半導体,(MOS,黒リン))
• 1p-L4-13 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 2p-L2-8 アモルファスGeSe2のカラス形成と結晶化過程(半導体,(アモルファス))
• 26pYB-1 Stiffness Transitionにおける Ge_xSe_ガラスの振動モードの異変(26pYB 過冷却液体・ガラス,領域12(高分子・液晶,化学物理,生物物理分野))
• 26pYB-2 Ge-SeガラスのX線異常散乱(26pYB 過冷却液体・ガラス,領域12(高分子・液晶,化学物理,生物物理分野))
• 1p-FC-5 (Ge,Sn)カルコゲナイド・ガラス半導体の構造と光誘起結晶化(1p FC 半導体(アモルファス))
• 1a-L1-13 ZnSe-ZnS歪超格子のラマン散乱(半導体,(表面・界面・超格子))
• 30a-CQ-11 極微構造金属細線の電気伝導(低温)
• 1a-D2-2 PbTe-SnTe超格子の超伝導(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)
• 30a-CQ-10 PtSi極微細線の電気伝導(低温)
• 30a-FC-9 GaAs薄膜及び極微細線の電気伝導(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 30a-LB-2 Bi-Sb多層膜の磁気抵抗効果(低温)
• 28p-H-11 アモルファスおよび結晶GeSe_2のA振動モードの類似性(28pH 半導体(アモルファス))
• 28p-H-12 結晶GeSe_2のラマンスペクトルの励起エネルギー依存性(28pH 半導体(アモルファス))
• 31a-PS-69 Bi系酸化物超伝導体のホール係数の温度依存性(31a PS 低温(酸化物超伝導))
• 28p-SC-3 Pb_Sn_xTe/In, Pbにおける超伝導の光励起効果(28p SC 低温(Heavy Fermion系,その他の超伝導))
• 1a-D2-1 PbTe-SnTe超格子のタイプについて(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)
• 31p-FB-6 Pb_Sn_xTe-Pbフィルムの超伝導(31p FB 半導体(磁性半導体,ナローギャップ))
• 31a-B1-7 PtSi薄膜の弱反局在(31a B1 低温)
• 31a-B1-3 高濃度にイオン注入したSiの2次元弱局在(31a B1 低温)
• 2p-L2-14 酸化物高温超伝導体フィルムの電気伝導とガラス半導体的側面(半導体,(アモルファス))
• 30a-FC-5 ZnS-ZnTe超格子のフォノン(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 29p-FC-3 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子の強磁場輸送現象(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 1p-D1-7 アモルファスGeSe_2の内殻励起子(1p D1 半導体(アモルファス・ナローギャップ),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク