26pKA-4 μSRを用いたC12A7中の水素状態の電子ドープ依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

• 論文の詳細を見る
• 2013-08-26

著者

• 幸田 章宏

  KEK物構研

• 門野 良典

  KEK物構研

• 幸田 章宏

  高エネルギー加速器研究機構

• 児嶋 健児

  コロンビア大物理:東大理

• 小嶋 健児

  KEK物構研

• 宮崎 正範

  KEK物構研

• 平石 雅俊

  KEK物構研

• 小嶋 健児

  KEK

• 山内 一宏

  KEK物構研

• 松石 聡

  東工大応用セラ

• 細野 秀雄

  東工大元素戦略セ

• 細野 秀雄

  東工大元素センター:東工大応セラ:東工大フロンティア

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