27aDD-5 電気二重層ゲートを用いた単一InAs量子ドットの電子状態の変調(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2013-08-26

著者

• 岩佐 義宏

  東大院工

• 柴田 憲治

  東大ナノ量子機構

• 柴田 憲治

  東京大学生産技術研究所

• Yuan Hongtao

  東大院工

• 平川 一彦

  東大ナノ量子機構・生産研:CREST-JST

• 柴田 憲治

  東大ナノ量子機構・生産研

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