29aXQ-6 部分窒化された酸化膜をもつシリコンMOSトランジスタにおける量子ドット的輸送現象(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2013-03-26

著者

• 大野 圭司

  理研

• 大黒 達也

  東芝

• 大野 圭司

  東京大学理学系研究科

• 棚本 哲史

  東芝

• 大野 圭司

  東大理:

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