磁界印加時における面発光型半導体レーザの発振特性変化の研究(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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半導体レーザの発振特性は注入電流,温度,磁界などによって変化することが知られている.これまで我々はFabry-Perot型半導体レーザを用いて,その発振周波数特性が常温・比較的弱磁界印可時にどのように変化するかを研究してきた.今回は面発光型半導体レーザ(VCSEL)の磁界印可時の発振特性変化について調べた.その結果,VCSELは出射するレーザ光と平行方向に磁界を印加するとFabry-Perot型半導体レーザとは異なり,その発振周波数が短波長側にシフトした.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-08-16
著者
-
大河 正志
新潟大工
-
佐藤 孝
新潟大工
-
大河 正志
新潟大学工学部
-
佐藤 孝
新潟大学工学部
-
土井 康平
新潟大学大学院自然科学研究科
-
佐藤 孝
新潟大学自然科学系
-
土井 康平
新潟大学男女共同参画推進室
-
田平 慎一
新潟大学大学院自然科学研究科
-
河野 桂子
新潟大学大学院自然科学研究科
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