磁界による半導体レーザの諸特性変化 : 電流の違いによるシフトメカニズムの検討(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
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概要
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半導体レーザに磁界を印加することで発振周波数がシフトすることは知られている.そこで,本研究室ではこれまで,様々なバルク型の780nm帯半導体レーザに常温(300K)で弱磁界(^〜1.4T)を印加して,実験を行ってきた.その結果,周波数が低周波数側にシフトすることを観測した.さらに,780nm帯MQW型半導体レーザに磁界を印加することで,周波数が低周波数側にシフトする結果に加えて,光出力が低出力側に,端子間電圧が高電圧側にシフトするという結果を得た.これらの測定から,諸特性の変化が半導体内部の温度上昇と縦磁気抵抗効果の両方が原因となるというシフトメカニズムを仮定し,検討したので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-08-20
著者
-
大河 正志
新潟大工
-
大河 正志
新潟大学工学部
-
丸山 武男
新潟大学工学部
-
佐藤 孝
新潟大学工学部
-
宮本 哲也
新潟大学大学院自然科学研究科
-
瀬戸 祥夫
新潟大学大学院自然研究科
-
瀬戸 祥夫
新潟大学工学部
-
瀬戸 祥夫
新潟大学大学院自然科学研究科
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