FIBによりGa^+イオンビーム照射されたLiFのTLおよびTSEE

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概要

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• A study on thermoluminescence (TL) and thermally stimulated exoelectron emission (TSEE) has been performed for LiF single crystal irradiated by focused Ga^+ ion beam (FIB). The result indicates that the intensities of TL and TSEE glow spectra depend strongly on the accelerating voltage of FIB. A 40keV beam of Ga^+ ions leads a very intensive peak of TSEE glow around 725K. A beam defining aperture with 300μm size in diameter also leads a more intensive peak of TSEE glow around 640K. The TSEE glow may be attributed to F_A center induced by implantation of Ga^+ ions.

• 2013-03-00

著者

• 田中 武雄

  大阪産業大

• 福田 和悟

  大阪産業大学・教養部

• 大谷 浩司

  大阪産業大学工学研究科(元) : インテグラル・テクノロジー株式会社(現)

• 安元 培

  大阪産業大学工学研究科

• 福田 和悟

  大阪産業大学人間環境学部生活環境学科(元)

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