レーザSQUID顕微鏡を用いた半導体内の不均一光誘起電流の可視化(超伝導センシング基盤技術及びその応用,一般)
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概要
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半導体である多結晶シリコン太陽電池に集光したレーザを照射すると、レーザ照射点から電流が流れ出す。この電流によって生じる磁場をSQUID (Superconducting QUantum Interference Device)によって測定することを原理としたレーザSQUID顕微鏡を用いて、多結晶シリコン太陽電池を非接触に評価した。従来手法ではレーザとSQUIDの相対位置を固定し、試料のみを走査して磁場像を取得していたが、新たに本実験では、レーザ照射点を試料上の一点に固定して試料と一緒に走査し、レーザ照射点周辺で試料上の磁場分布をSQUIDにより測定した。これにより、太陽電池上のレーザ照射点の違いによって誘起される電流分布が変わることに対応する磁場像を得た。また、得られ磁場分布から、逆問題として電流分布も推察した。その結果、レーザ照射点に近い太陽電池の表面電極を伝って電流が拡散していることが推定され、レーザ照射によって生成されたキャリアが電極に集まることが示唆された。
- 2012-01-19
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