23pPSB-14 電界誘起水エッチングによる電界放出電子源の先鋭化および低速電子回折パターンの観察(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-08-24

著者

• 水野 清義

  九大総理工

• 小野田 穣

  九大総理工

• 江口 智史

  九大総理工:九大先導研

• 金岡 朋美

  九大総理工

• 江口 智史

  九大総理工

関連論文

• 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pYE-10 6H-SiC(0001)面におけるカーボンナノチューブの核生成(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-141 6H-SiC(0001)微傾斜面の熱処理による構造変化のSTM観察(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27pYG-6 電界放出型低速電子回折パターンへの探針形状の影響に関する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31p-Q-6 マグネタイト単結晶(110)表面の結晶構造解析
• 25pYG-3 電界誘起エッチングにより先鋭化したナノ探針(ナノ構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-139 電界放出電子による表面への電子線照射と散乱パターンの検出(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 29aZF-3 Si(111)-(1×1)-T1 の構造と電子状態
• 28pPSB-30 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発 II
• 19pPSB-36 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発
• Cu(001)表面上のMgとLi共吸着よって協同的に形成する表面構造
• Cu(001)表面上のK原子吸着位置 : p(3x2)-p2mg vs.p(3x2)-p2mm
• 28aXE-4 Cu(001)表面上のMg, Li共吸着構造とNa, Li共吸着構造の比較
• 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-59 電界誘起水エッチングにより先鋭化したタングステン電子源の研究(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pWS-3 I-V LEED法によるRh(100)表面上の酸化亜鉛超薄膜の構造解析(23pWS 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pY-3 還移金属(001)面上に吸着した単純金属原子単一層の構造 : 正方格子的相
• 24aPS-37 低速電子回折法を用いたSi(111)-(3x1)-Ag構造解析
• 27pY-6 Si(111)上のIn吸着構造の解析
• 24aPS-60 Mo(112)表面上の酸化シリコン構造のLEEDによる解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-68 単結晶CuおよびCo薄膜上に合成したグラフェンのLEEDによる研究(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27a-PS-63 小型モット検出器の開発I
• 24aTD-12 電界誘起酸素エッチングによる電界放出電子源の先鋭化II(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pW-8 Cu(001)-(2x1)-Li表面へのNa, K, Csの吸着 : LEEDによる構造解析
• 24aPS-34 Si(111)7×7上のステップとアイランドの終端部のSTM観察
• 15pXG-12 低速電子線励起による Si(001)-c(4×2) 構造の無秩序化(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 28pWP-12 低速電子線照射によるSi(001)-c(4×2)表面構造の変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 27pPSA-18 Cu(001)-Bi系のLEEDによる構造解析(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 23aYE-2 Cu (001)-Bi, Li 共吸着構造の LEED 解析
• 22pYE-5 Si(001) 表面の低温 LEED による観察
• 28aWD-7 Cu(001) 表面上の Bi と Mg および Bi と Li の共吸着構造の LEED 解析
• 22pPSA-92 電界誘起酸素エッチングによる電界放出電子源の先鋭化(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pY-2 Cu(001)表面上のリチウム吸着層の高被覆率での構造
• 31a-Q-10 再構築化型吸着における吸着位置選択性 : Ag(001)上のNaとKの共吸着
• 23pPSB-13 電界誘起エッチングによるPtナノ探針の作製と先端構造の評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSA-15 Mo(112)表面上に形成した酸化シリコン膜のLEEDによる構造解析(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-14 電界誘起水エッチングによる電界放出電子源の先鋭化および低速電子回折パターンの観察(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 6pPSB-37 Si(111)-(3×1)-Ba構造形成初期過程のSTM観察(表面界面結晶成長,領域9)
• 6pPSB-34 LEED,STMとcore-level PESによる(2√2×√2)R45°-Mg,Li構造の形成過程の観察(表面界面結晶成長,領域9)
• 25pYF-4 Cu(001)表面上のBiとK(Cs)共吸着により形成するの(√×√)R26.7°構造の解析(25pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク