25pTG-4 ZrB_2上のSi単一層の第一原理電子状態計算(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2011-03-03
著者
-
尾崎 泰助
北陸先端大融合院
-
川井 弘之
北陸先端大マテ
-
Fleurence Antoine
北陸先端大マテ:北陸先端大融合院
-
Friedlein Rainer
北陸線短大マテ
-
高村(山田) 由起子
北陸先端大マテ
-
Friedlein Rainer
北陸線短大マテ:北陸先端大融合院
-
高村(山田) 由起子
北陸先端大マテ:北陸先端大融合院
-
尾崎 泰助
北陸先端大
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