23pTG-4 第一原理電子状態計算によるポリ20面体Siナノ構造のSi_<20>ケージへのドーピング効果の研究(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 三上 益弘

  産総研

• 西尾 憲吾

  産総研計算科学

• 尾崎 泰助

  北陸先端大融合院

• 森下 徹也

  産総研計算科学

• 三上 益弘

  産総研計算科学

• 三上 益弘

  産総研:crest Jst

• 篠田 渉

  産総研計算科学

• 篠田 渉

  産総研:crest Jst

• 尾崎 泰助

  産総研計算科学

• 三上 益弘

  産総研ナノシステム

• 森下 徹也

  産総研ナノシステム

• 三上 益弘

  産総研計算

• 森下 徹也

  産総研ナノシステム(NRI-AIST)

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