ダイアモンドアンビルセルとレーザー加熱を用いた超高圧超高温超臨界流体中での結晶成長(<特集>高圧力下での結晶成長)
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概要
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ダイアモンドアンビルセルという超高圧発生装置と赤外レーザー加熱を組み合わせたシステムによって作り出される超高圧・超高温超臨界流体を利用して単結晶育成を可能とするプロセス:Laser-DACについて紹介する.従来の超高圧合成によく使用されてきたプレス型大型高圧発生装置とは違って,ガス状や流体状の物質を圧縮できかつ反応種として利用できるというダイアモンドアンビルセルの特徴を最大限に利用した我々の結晶成長研究例について述べる.超高圧超高温での超臨界窒素流体と超臨界酸素流体を用いた研究例として,13属金属窒化物半導体の代表であるGaNとAlNの超臨界窒素流体を用いた単結晶育成と,超臨界酸素流体を用いたルチル型酸化物の中空角柱状結晶(チューブ結晶)の育成に関する成果について述べる.これらの成果より,Laser-DACは様々な無機化合物の新物質や新結晶の発見につながる有力なツールであるといえる.
著者
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丹羽 健
東京大学物性研究所
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長谷川 正
名古屋大学工学研究科
-
丹羽 健
名古屋大学 大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
-
長谷川 正
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻
-
丹羽 健
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻
-
長谷川 正
名古屋大学大学院工学研究科
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