25pGAB-3 バルク超伝導体スタガードアレイアンジュレータにおける超伝導臨界電流密度の温度依存性が及ぼす影響(25pGAB 放射光・X線源・テラヘルツ光,ビーム物理領域)
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概要
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- 2011-03-03
著者
-
紀井 俊輝
京都大学エネルギー理工学研究所
-
金城 良太
京都大学エネルギー理工学研究所
-
Choi Yomg-Woon
京都大学エネルギー理工学研究所
-
吉田 恭平
京都大学エネルギー理工学研究所
-
上田 智史
京都大学エネルギー理工学研究所
-
高崎 将人
京都大学エネルギー理工学研究所
-
園部 太郎
京都大学エネルギー理工学研究所
-
増田 開
京都大学エネルギー理工学研究所
-
大垣 英明
京都大学エネルギー理工学研究所
-
石田 啓一
阪市大院理
-
大垣 英明
電総研
-
大垣 英明
京大 エネルギー理工学研
-
大垣 英明
京大エネ理工
-
大垣 英明
電子技術総合研究所
-
Bakr Mahmoud
京都大学エネルギー理工学研究所
-
木村 尚樹
京都大学エネルギー理工学研究所
-
Choi Yong-Woon
京都大学エネルギー理工学研究所
-
Omer Mohamed
京都大学エネルギー理工学研究所
-
石田 啓一
京都大学エネルギー理工学研究所
-
金城 良太
京都大学 エネルギー理工学研究所
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