23aHV-3 量子スピンホール系の熱電輸送におけるバルク状態とエッジ状態の競合(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2010-03-01

著者

• 村上 修一

  東工大院理工

• 村上 修一

  東工大理

• 高橋 隆志

  東工大院理工

• 村上 修一

  広島大学大学院工学研究科

• 村上 修一

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 村上 修一

  東工大院理

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