25aSB-10 長距離不純物を含むグラフェンにおける弱磁場ホール効果(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2012-03-05

著者

• 村上 修一

  東工大院理工

• 安藤 恒也

  東工大院理工

• 野呂 昌夫

  東工大院理工

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