25aXD-9 量子スピンホール系のエッジ状態の侵入長(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-08-18

著者

• 村上 修一

  東工大院理工

• 村上 修一

  東工大理

• 村上 修一

  広島大学大学院工学研究科

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