PD4 LiNbO_3圧電トランスの負荷抵抗依存性の検討(ポスターセッション概要講演)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会の論文
• 1991-12-02

著者

• 上田 政則

  富士通(株)電子デバイス事業本部

• 長谷川 宏

  富士通(株)電子デバイス事業本部

• 若月 昇

  富士通(株)電子デバイス事業本部

• 上田 政則

  富士通株式会社機能デバイス事業部

• 長谷川 宏

  富士通(株)

• 佐藤 万寿治

  富士通電子デバイス事業本部

• 佐藤 万寿治

  富士通(株)

• 若月 昇

  富士通株式会社機能デバイス事業部

関連論文

• D5 昇圧電源を内蔵した圧電バイモルフ駆動の光スイッチ
• 1-05-04 Air-Gap型圧電薄膜共振器を使用した高周波フィルタ(バルク波デバイス)
• 圧電振動子の非オーミック接触現象の解析
• FBARデバイスの現状と今後の展開
• 幅すべり振動形圧電トランスの低損失化と電力特性の検討
• PB33 高次幅振動のエネルギー閉じ込めを使用した低損失圧電トランス(ポスターセッションB)
• PD4 LiNbO_3圧電トランスの負荷抵抗依存性の検討(ポスターセッション概要講演)
• 幅すべり振動モード圧電トランスの動作解析
• PC5 幅すべり振動形圧電トランスのスプリアス応答の改善(ポスタセッションC-概要講演・展示)

スポンサーリンク