電気プラガブルソケット実装1μm帯10Gbit/s×12ch小型並列光モジュールの伝送特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)

概要

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次世代の光インタコネクションでは,総伝送容量の増大を実現するため,光モジュールを高密度に実装し,信号の並列多重数を増加することが求められる.そのため,小型光モジュールの需要が高まることが予想され,我々も開発を行ってきた.一方,これまでの光インタコネクションに採用される波長は850nm帯であり,光デバイスにはGaAsが使用されてきたが,我々は高速変調,信頼性の向上,低消費電力化が期待できるInGaAs光デバイスを用いた1μm帯光インタコネクションを提案している.1μm帯の信号伝送は,850nm帯と比較して,ファイバの伝送損失及び波長分散が小さく,長距離化が実現できるという優位性もある.本検討では,1μm帯の伝送性能を明らかにするために,電気プラガブルソケット実装1μm帯10Gbit/s×12ch小型並列光モジュール及び1μm帯に最適化したMMFを作製し,光リンクを構成して伝送実験を行った.その結果,10Gbit/s×12chのエラーフリー伝送を1000mにおいて達成した.また,1μm帯の伝送性能の優位性を明らかにすべく,パワーペナルティについて検討し,850nm帯と比較して長距離である程,改善効果があることを確認した.
2009-08-13