17aC07 水素終端Si基板上の薄膜成長過程における歪み、内部応力のその場観察(結晶評価・その場観察(2),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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Hetero-structures between Sr, SrO films and Si surfaces are characterized by using reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and substrate curvature measurement using a multiple parallel laser beam technique during epitaxial growth process. In spite of the lattice mismatch as large as 12%, the hetero-epitaxial Sr film grows with an abrupt interface.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
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社本 真一
原研中性子利用セ
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社本 真一
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
山崎 竜也
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
朝岡 秀人
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
朝岡 秀人
原研中性子利用研究センター
-
山崎 竜也
原研中性子利用研究センター
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