25pB08 GaAsパターン基板上のInAsドットアレイの作製(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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InAs quantum dots were grown on mesa-grooved (100) GaAs substrates. The distribution of InAs (lots depended strongly on the width of mesa-grooves; InNs dots array where grown on the ridges with width less than 200nm.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
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