25pB09 MBE法によるInAs量子ドットの成長中断効果(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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The effect of growth interruption on the properties of InAs/GaAs quantum dots on GaAs(001) substrates by molecular beam epitaxy (MBE) has been studied using atomic three microscope (AFM) and photoluminescence (PL) technique. The size of InAs dots increased with increasing the interruption time, although the density of InAs dots decreased as the interruption lime was increased.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
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